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APTM100DU18TG中文资料

  • 大小:291.57KB
  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:Dual Common Source MOSFET Power Module
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:210 毫欧 @ 21.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:372nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:10400pF @ 25V
  • 功率 - 最大:780W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP4
  • 供应商设备封装:SP4
  • 包装:散装

APTM100DU18TG供应商

更新时间:2023-01-08 02:57:08
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